APT34N80B2C3G


Купить APT34N80B2C3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APT34N80B2C3G MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Версия для печати

Технические характеристики APT34N80B2C3G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs145 mOhm @ 22A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C34A
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs355nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4510pF @ 25V
Power - Max417W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)T-MAX
КорпусT-MAX™ [B2]
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APT34N80B2C3G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход