IXTT60N10
|
MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3200pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-268 |
| Корпус | TO-268 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
