IXFK360N10T


Купить IXFK360N10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFK360N10T MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Версия для печати

Технические характеристики IXFK360N10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияGigaMOS™ HiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C360A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs525nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds33000pF @ 25V
Power - Max1250W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-264
КорпусTO-264
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFK360N10T datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход