IXT-1-1N100S1-TR
|
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики IXT-1-1N100S1-TR
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
