IXTQ200N06P


Купить IXTQ200N06P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTQ200N06P MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Версия для печати

Технические характеристики IXTQ200N06P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolarHT™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 mOhm @ 400A, 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C200A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5400pF @ 25V
Power - Max714W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3P
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXTQ200N06P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход