IXFT140N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFT140N10P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	140A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4700pF @ 25V
Power - Max	600W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-268
Корпус	TO-268

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFT140N10P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

Производитель:
ISSI

IXFT140N10P datasheet
177.5 Кб