IXFA6N120P


Купить IXFA6N120P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFA6N120P MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IXFA6N120P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolar™ HiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs92nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2830pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263 (D2Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFA6N120P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход