STH180N10F3-2
|
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 180A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 114.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6665pF @ 25V |
| Power - Max | 315W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | H²PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
