STB200NF04L

Версия для печати

Технические характеристики STB200NF04L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	90nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6400pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB200NF04L (MOSFET)

N-CHANNEL 40V - 3 m? - 120 A D?PAK/I?PAK STripFET™ II MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB200NF04L datasheet
354.9 Кб