STB80NF55L-08-1


Купить STB80NF55L-08-1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB80NF55L-08-1
Версия для печати

Технические характеристики STB80NF55L-08-1

Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 40A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSTripFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs100nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4350pF @ 25V
Power - Max300W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход