IXTY1N80P


Купить IXTY1N80P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTY1N80P MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Версия для печати

Технические характеристики IXTY1N80P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolar™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
Power - Max42W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXTY1N80P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход