IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Версия для печати

Технические характеристики IRLHM620TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	26A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3620pF @ 10V
Power - Max	2.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-VQFN Exposed Pad
Корпус	PQFN (3x3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLHM620TRPBF datasheet