STD55N4F5


Купить STD55N4F5 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STD55N4F5
Версия для печати

Технические характеристики STD55N4F5

Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5 mOhm @ 27.5A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSTripFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V
Power - Max60W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход