IRFH8330TR2PBF


Купить IRFH8330TR2PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFH8330TR2PBF MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Версия для печати

Технические характеристики IRFH8330TR2PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1450pF @ 25V
Power - Max3.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPQFN (5x6)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFH8330TR2PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход