IRFP23N50L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP23N50L		745.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFP23N50L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	370W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP23N50L (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP23N50L datasheet
259.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
PKM13EPYH4000-A0		MURATA	6 667	31.65
PKM13EPYH4000-A0
PKM13EPYH4000-A0		Murata Electronics North America
PKM13EPYH4000-A0		MUR	13 179	23.14
STW13009		ST MICROELECTRONICS
STW13009		STMicroelectronics
STW13009				336.64
STW13009		ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822D		ST MICROELECTRONICS	120	46.28
TDA2822D			28	29.04
TDA2822D		STMicroelectronics
TDA2822D		КИТАЙ
TDA2822D		ST MICROELECTRONICS SEMI	2
TDA2822D		ST1
TDA2822D		ST MICROELECTRO
TDA2822D		STMICROELECTR
TDA2822D		1
TDA2822D		4-7 НЕДЕЛЬ	212
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В			34.00
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	СИНГАПУР
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRO
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	---
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTR
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	4-7 НЕДЕЛЬ	179
ТЧ80-10	Тиристор штыревой быстродействующий 1000В, 80А			2 600.00