Версия для печати
Технические характеристики IRFPF50PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPF50PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFPF50PBF datasheet 863.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		6Н1П		Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты		2	70.30
		6Н1П		Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты	КАЛУГА
		6Н1П		Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты	ОРЕЛ
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	14 102	14.84
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 704	33.30
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 598	10.60
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	4-7 НЕДЕЛЬ	26
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	12008
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	5500
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	7480
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	70	1	6.68
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ON SEMICONDUCTOR
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ONS
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	4-7 НЕДЕЛЬ	516
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	SHARP
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA			558.00
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	Sharp Microelectronics
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	ЯПОНИЯ
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)		59	31.28
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРО-М	432	165.31
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	СВЕТЛАНА	4 076	25.44
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	RUS
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРОН
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРОМ
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	3
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	5000
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	52

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"