SUP85N10-10-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SUP85N10-10-E3 (VISHAY)	4	410.39

MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

Версия для печати

Технические характеристики SUP85N10-10-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	85A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6550pF @ 25V
Power - Max	3.75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SUP85N10-10-E3 datasheet