IRFBC30

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC30		66.52

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC30

N - Channel Powermesh Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

IRFBC30 datasheet
87.84Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BUL45D2G	Транзистор биполярный большой мощности	ST MICROELECTRONICS
BUL45D2G	Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
BUL45D2G	Транзистор биполярный большой мощности	ONS
BUL45D2G	Транзистор биполярный большой мощности			161.44
BUL45D2G	Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
IRF7343TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7343TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7343TR		INFINEON
IRF7343TR		VBSEMI	25 554	20.17
IRF7343TR		UMW-YOUTAI
IRF7343TR		YOUTAI	15 229	12.34
T2550H-600T	Высокотемпературный бесснабберный симистор на 25а, 600в	ST MICROELECTRONICS
T2550H-600T	Высокотемпературный бесснабберный симистор на 25а, 600в	ST MICROELECTRONICS SEMI
UC3842B
UC3842B		ST MICROELECTRONICS
UC3842B
UC3842B		YOUTAI	6 438	19.05
UC3842B		4-7 НЕДЕЛЬ	404
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М		ГЕРМАНИЯ