IRFBC30
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1500МКФ 16В (10Х19) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 16В |
|
50.00 | ||||
 |
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | NXP |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | 1 248 | 31.45 | |||
| UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| UC3842BD1 |
|
74.40 | ||||||
| UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| UC3842BD1 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| UC3842BD1 | ST MICROELECTRONICS | 800 | 49.14 | |||||
| UC3842BD1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 214 |
|
|||||
| ОТСОС ПРИПОЯ TD-192В | 302 | 218.62 | ||||||
| ОТСОС ПРИПОЯ TD-192В | 302 | 218.62 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
