IRFBC30
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1500МКФ 10В (10Х24) 105°C |
|
52.80 | ||||||
 |
BYV27-200 |
|
Диод | NXP |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод |
|
56.20 | |||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | КИТАЙ |
|
|
||
| L4981BD | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L4981BD |
|
464.00 | ||||||
| L4981BD | ST MICROELECTRONICS SEMI | 452 |
|
|||||
| L4981BD | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L4981BD | ST1 |
|
|
|||||
| L4981BD | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| L4981BD | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G |
|
134.00 | ||||||
| NCP1203D60R2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М |
|
30.76 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
