IRFB11N50A
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB11N50A (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.52ohm, Id=11A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N2222A (PN2222A) |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300) | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
2N2222A (PN2222A) |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300) |
|
|
||
 |
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой | 1 | 60.00 | ||
 |
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
|
182.40 | ||
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
|
|
|
| ДУ GOLD STAR 105-230A |
|
|
||||||
| ДУ LG 6710V00070B |
|
|
