IRFB11N50A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB11N50A		107.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFB11N50A

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1423pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB11N50A (P-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.52ohm, Id=11A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB11N50A datasheet
102.41Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	МИНСК
2N2222A (PN2222A)	Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
L78L12ACD	SO8	SGS
L78L12ACD	SO8	ST MICROELECTRONICS
L78L12ACD	SO8	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 379
L78L12ACD	SO8	UTC
L78L12ACD	SO8	STMicroelectronics
L78L12ACD	SO8			14.40
L78L12ACD	SO8	4-7 НЕДЕЛЬ	409
ДУ GOLD STAR 105-230A
ДУ LG 6710V00070B