SUM110P06-08L-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SUM110P06-08L-E3 (VISHAY)	1 349	283.21

MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK

Версия для печати

Технические характеристики SUM110P06-08L-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	110A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9200pF @ 25V
Power - Max	3.75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	TO-263 (D2Pak)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.