SIE810DF-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SIE810DF-T1-E3 (SILICONIX.)	13	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Версия для печати

Технические характеристики SIE810DF-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	13000pF @ 10V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	10-PolarPAK® (L)
Корпус	10-PolarPAK® (L)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SIE810DF-T1-E3 datasheet