SUP60N10-18P-E3


Купить SUP60N10-18P-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SUP60N10-18P-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
Версия для печати

Технические характеристики SUP60N10-18P-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.3 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C60A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2600pF @ 50V
Power - Max3.75W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SUP60N10-18P-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход