SUD50N10-18P-E3


SUD50N10-18P-E3 (заказ)
SUD50N10-18P-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO252 MOSFET N-CH D-S 100V TO252

Технические характеристики SUD50N10-18P-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.2A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2600pF @ 50V
Power - Max3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru