SI7852ADP-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7852ADP-T1-E3 (VISHAY)	5	275.40

MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO

Версия для печати

Технические характеристики SI7852ADP-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1825pF @ 40V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI7852ADP-T1-E3 datasheet