SQ4401DY-T1-GE3


Купить SQ4401DY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SQ4401DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SQ4401DY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 10.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C15.8A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4250pF @ 20V
Power - Max6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SQ4401DY-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход