SQJ469EP-T1-GE3


Купить SQJ469EP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SQJ469EP-T1-GE3 MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SQJ469EP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 10.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C32A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5100pF @ 40V
Power - Max100W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SQJ469EP-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход