SIE804DF-T1-GE3


Купить SIE804DF-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SIE804DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
Версия для печати

Технические характеристики SIE804DF-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs38 mOhm @ 7.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C37A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs105nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3000pF @ 50V
Power - Max125W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)10-PolarPAK® (SH)
Корпус10-PolarPAK® (SH)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SIE804DF-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход