SI4456DY-T1-GE3


Купить SI4456DY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4456DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4456DY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C33A
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs122nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5670pF @ 20V
Power - Max7.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI4456DY-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход