SIE844DF-T1-E3


Купить SIE844DF-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SIE844DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
Версия для печати

Технические характеристики SIE844DF-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 12.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C44.5A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2150pF @ 15V
Power - Max25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)10-PolarPAK® (U)
Корпус10-PolarPAK® (U)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SIE844DF-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход