SQD25N06-22L-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SQD25N06-22L-GE3 (SILICONIX.)	3	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

Версия для печати

Технические характеристики SQD25N06-22L-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	25A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1975pF @ 25V
Power - Max	62W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252, (D-Pak)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SQD25N06-22L-GE3 datasheet