![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFRC20PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.47МКФ 100 (5X11,НЕПОЛЯРН.) |
![]() |
![]() |
||||||
0.47МКФ 50 (4X5)105°C |
![]() |
![]() |
||||||
1000МКФ 16 (10Х21,АКС.)105°C |
![]() |
![]() |
||||||
100МКФ 200 (16X25)105°C |
![]() |
![]() |
||||||
22МКФ 350 (13X21)105°C |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|