SUD50N03-06AP-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SUD50N03-06AP-E3 (SILICONIX.)	1 187	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 30V TO252

Версия для печати

Технические характеристики SUD50N03-06AP-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	90A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3800pF @ 15V
Power - Max	83W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252, (D-Pak)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SUD50N03-06AP-E3 datasheet