SI4638DY-T1-E3


SI4638DY-T1-E3 (заказ)
SI4638DY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC

Технические характеристики SI4638DY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSkyFET®, TrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C22.4A
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4190pF @ 15V
Power - Max5.9W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru