SI7804DN-T1-E3


SI7804DN-T1-E3 (заказ)
SI7804DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Технические характеристики SI7804DN-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 5V
Power - Max1.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® 1212-8
КорпусPowerPAK® 1212-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru