SIR460DP-T1-GE3


Купить SIR460DP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SIR460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SIR460DP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2071pF @ 15V
Power - Max48W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SIR460DP-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход