SI3483CDV-T1-E3


Купить SI3483CDV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3483CDV-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
Версия для печати

Технические характеристики SI3483CDV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 6.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1000pF @ 15V
Power - Max4.2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI3483CDV-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход