SI3434DV-T1-GE3


Купить SI3434DV-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3434DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Версия для печати

Технические характеристики SI3434DV-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
Power - Max1.14W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI3434DV-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход