SI7114ADN-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7114ADN-T1-GE3 (SILICONIX.)	162	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8

Версия для печати

Технические характеристики SI7114ADN-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1230pF @ 15V
Power - Max	39W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI7114ADN-T1-GE3 datasheet