SI3433BDV-T1-GE3


Купить SI3433BDV-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3433BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
Версия для печати

Технические характеристики SI3433BDV-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI3433BDV-T1-GE3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход