SI2321DS-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2321DS-T1-E3 (SILICONIX.)	1 818	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 20V SOT-23

Версия для печати

Технические характеристики SI2321DS-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	715pF @ 6V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI2321DS-T1-E3 datasheet