SI2316DS-T1-GE3
|
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 215pF @ 15V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
