SI1499DH-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI1499DH-T1-GE3 (SILICONIX.)	185	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 8V SC-70-6

Версия для печати

Технические характеристики SI1499DH-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 4V
Power - Max	2.78W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.