SI3447CDV-T1-E3


Купить SI3447CDV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3447CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Версия для печати

Технические характеристики SI3447CDV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.8A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds910pF @ 6V
Power - Max3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI3447CDV-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход