SI2307CDS-T1-E3


Купить SI2307CDS-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI2307CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Версия для печати

Технические характеристики SI2307CDS-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs88 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds340pF @ 15V
Power - Max1.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI2307CDS-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход