RW1C020UNT2R


Купить RW1C020UNT2R ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
RW1C020UNT2R MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Версия для печати

Технические характеристики RW1C020UNT2R

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs105 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-WEMT
Корпус6-WEMT
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


RW1C020UNT2R datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход