SI5855CDC-T1-E3


Купить SI5855CDC-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
Версия для печати

Технические характеристики SI5855CDC-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияLITTLE FOOT®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds276pF @ 10V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)1206-8 ChipFET™
Корпус1206-8 ChipFET™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI5855CDC-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход