SI1330EDL-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI1330EDL-T1-GE3 (SILICONIX.) |
426 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1330EDL-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 250mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 240mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Power - Max | 280mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
