SI8800EDB-T2-E1
|
MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
|
Версия для печати
Технические характеристики SI8800EDB-T2-E1
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 8V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 4-Microfoot |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
