FDB8160_F085


Купить FDB8160_F085 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB8160_F085 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FDB8160_F085

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 80A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs243nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11825pF @ 15V
Power - Max254W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263 (D2Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDB8160_F085 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход