FQP13N50C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP13N50C	1	413.28
FQP13N50C (ON SEMICONDUCTOR)	410	245.85

Версия для печати

Технические характеристики FQP13N50C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2055pF @ 25V
Power - Max	195W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP13N50C (MOSFET)

500V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP13N50C datasheet
922.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTOR	2	94.50
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A	ONS
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTOR
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTO
MBR20200CTG	Диод Шоттки 200V 20A	3
OB2263AP		ON-BRIGHT
OB2263AP			5	105.84
OB2263AP		1
OB2263AP		4-7 НЕДЕЛЬ	541
OB2273MP		ON-BRIGHT	4	20.29
OB2273MP			2	75.60
OB2273MP		1
OB2273MP		4-7 НЕДЕЛЬ	92
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHIN
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SK
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHINA
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SANKEN
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором			444.00
SMR40200C	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	4-7 НЕДЕЛЬ	572
TDA7384[A]		ST MICROELECTRONICS